目前大好形势下,SK Hynix也表态加快产能提升、新工艺转换,今年他们会继续扩大2Znm工艺DRAM芯片产能,同时下半年量产1Xnm DRAM芯片。闪存方面,今年也会开始供应48层及72层堆栈的3D NAND芯片。
与美光相似,SK Hynix的营收其实也是DRAM内存为主,NAND闪存比例较小,份额大幅落后于三星和东芝,这也是为什么SK Hynix也积极加入东芝NAND闪存业务竞购的原因。
原文链接:http://www.expreview.com/53752.html
目前大好形势下,SK Hynix也表态加快产能提升、新工艺转换,今年他们会继续扩大2Znm工艺DRAM芯片产能,同时下半年量产1Xnm DRAM芯片。闪存方面,今年也会开始供应48层及72层堆栈的3D NAND芯片。
与美光相似,SK Hynix的营收其实也是DRAM内存为主,NAND闪存比例较小,份额大幅落后于三星和东芝,这也是为什么SK Hynix也积极加入东芝NAND闪存业务竞购的原因。
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