除了真实的市场表现和对产业的影响外，不可否认，这几年，芯片产业的竞争对手，尤其是移动领域的台积电和三星等相继玩起了代表芯片产业创新之一的“制程游戏”，而正是这种游戏，让业内感觉到英特尔在芯片产业中已经失去了创新者的地位。最典型的表现就是目前英特尔仍在沿用3年前的14纳米制程，而三星和台积电已经采用16纳米、14纳米和向10纳米和7纳米开进。而实际上线宽定义半导体工艺先进程度并不准确，更有意义的是栅极距（gate pitch）、鳍片间距（Fin Pitc）等，为此，业内对比过英特尔与台积电、三星的16、14nm工艺，结果英特尔的14nm工艺在这些关键指标上要比三星、台积电好得多，这两家的工艺其实有些名不副实，落后英特尔差不多1.5～2年左右的水平。
除此之外，根据每平方毫米上的晶体管数量来描述制程也是不应忽视的标准，而根据这一衡量标准，英特尔的22纳米工艺能实现每平方毫米1530万晶体管（15.3MTr/mm 2），14纳米工艺达到37.5MTr/mm 2，10纳米工艺达到100.8MTr/mm2，相比之下，竞争对手的14nm/16nm工艺只能达到28MTr/mm2，10纳米工艺可能只有50MTr/mm2。
值得一提的是，针对目前的处理器所有元件都采用统一制程（要么全部是22nm，要么全部都是14nm），而未来还会进入10nm、7nm时代，研发成本会因为制程的升级而大幅攀升，不利于产品的经济性的挑战，英特尔创造性地提出了EMIB概念——嵌入式多芯片互连，即允许将不同制程的元件混搭在一起来实现更高的性价比。比如电路部分用不到那么先进的制程，就依然使用22nm工艺制造，而承担核心任务的芯片则使用10nm或者14nm来制造，而使用EMIB技术并不会造成整体芯片的性能下降，反而能够提升各部分之间的传输效率，其速度可以达到数百Gigabytes，较传统多芯片技术来说，延迟降低了四倍，这在芯片产业中实属首创。
