作为全球最大的NAND芯片供应商，三星自己一家就占据全球37%的份额，是第二名东芝的两倍，产能、技术都要领先于其他几家公司。现在其他公司赶超三星闪存的可能性更小了，因为三星两年前斥资144亿美元建设的平泽工厂基本完工了，三星称其为世界最大的半导体工厂，预计7月份正式投产，主要生产64层堆栈的新一代3D NAND闪存。
2015年三星宣布了15.6万亿韩元（约合144亿美元）的半导体投资计划，将在韩国平泽市建设全球最大的NAND晶圆厂，预计在2017年上半年完工。平泽工厂将在三星的NAND业务中扮演关键角色，未来将与三星在京畿道器兴市的系统半导体工厂、华城市的DRAM内存工厂形成铁三角。
平泽工厂预计会在7月份正式投产，虽然号称是全球最大的半导体工厂，不过产能提升也是有个过程的，今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月，一两年之后才能全速运转。三星平面及3D闪存工厂加起来每月产能大约是45万片晶圆，平泽工厂将占据10-20%的份额。
既然是费尽心血建设的新一代工厂，平泽工厂生产的产品自然也会是最新的3D NAND闪存，三星之前已经发布了堆栈层数分别是24、32、48层的三代3D NAND，平泽工厂下半年预计会生产堆栈层数达到64层的第四代3D NAND闪存。
根据三星之前公布的资料，64层堆栈的3D NAND核心容量提高到512Gb，IO接口速度800Mbps。
在平泽工厂之前，三星在中国西安投资70亿美元建设了NAND工厂，主力产品就是目前的48层堆栈3D NAND，未来西安工厂也会投产64层3D NAND闪存。
三星平泽工厂在未来两三年内可能还是最大的半导体工厂，不过这个最大工厂的名头很有可能被中国的长江存储科技取代——该公司在武汉、南京建设的晶圆厂规模更大，2020年时每个晶圆厂月产能可达30万片晶圆（还是12英寸的），真要投产了这两个工厂的产能就足以比肩三星全部NAND工厂产能，而武汉基地规划的产能最终是在2030年达到每月100万片晶圆。
